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功率半导体器件基础
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Fundamentals of power semiconductor devices :英文版 /(美)B. Jayant Baliga著
ISBN/ISSN：978-7-03-034340-6
中图分类号：TN303
出版：北京 :科学出版社 ,2012
并列题名：Fundamentals of power semiconductor devices
简介：本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
责任者：巴利伽 4著
载体形态：17,1065页 ;24cm
附注：国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术
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| 总馆 | 6层西区29排B面01列 | 16120130029489 | TN303/BLG/2012 | 1612013002948 | 在架可借 | ||
| 总馆 | 6层西区29排B面01列 | 16120130029497 | TN303/BLG/2012 | 1612013002949 | 在架可借 |
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