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半导体物理与器件
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/裴素华等编著
ISBN/ISSN：978-7-111-24731-9
中图分类号：TN303
出版：北京 :机械工业出版社 ,2008
简介：本书内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO2,/Si结构下的开管掺杂共6章。
责任者：裴素华 4编著 黄萍 4编著 刘爱华 4编著 裴素华 4编著
载体形态：327页 :图, 表 ;26cm
附注：普通高等教育“十一五”电子信息类规划教材
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| 馆藏部门 | 架位信息 | 图书条码 | 索书号 | 登录号 | 卷期 | 状态 | 异地预借 |
| 总馆 | 6层西区29排B面01列 | 211985645 | TN303/PSH/2008 | 1198564 | 在架可借 | ||
| 总馆 | 6层西区29排B面01列 | 211985654 | TN303/PSH/2008 | 1198565 | 在架可借 | ||
| 总馆 | 6层西区29排B面01列 | 211985663 | TN303/PSH/2008 | 1198566 | 在架可借 |
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