| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0001758 |
| 005 | 20130327160831.0 |
| 010 | $a: 978-7-03-034340-6$d: CNY150.00 |
| 100 | $a: 20120817e2012 em y0chiy0110 ea |
| 101 | $a: eng$g: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: y z 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 功率半导体器件基础$A: gong lv ban dao ti qi jian ji chu$d: Fundamentals of power semiconductor devices$e: 英文版$f: (美)B. Jayant Baliga著$z: eng |
| 205 | $a: 影印版 |
| 210 | $a: 北京$c: 科学出版社$d: 2012 |
| 215 | $a: 17,1065页$d: 24cm |
| 300 | $a: 国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术 |
| 305 | $a: 由施普林格科学商业媒体授权出版 |
| 330 | $a: 本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
| 510 | $a: Fundamentals of power semiconductor devices$z: eng |
| 606 | $a: 功率半导体器件$j: 英文 |
| 690 | $a: TN303$v: 5 |
| 701 | $c: (美)$a: 巴利伽$A: ba li ga$c: (Baliga, B. Jayant)$4: 著 |
| 801 | $a: CN$b: FJJXXY$c: 20130327 |
| 905 | $a: jxxy$d: TN303$r: CNY150.00$e: BLG |
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